Преобразователь M200-01200024A отличается от частотника CIMRV7TCB2P27 реальной номинальной мощностью инвертора, частотой работы ШИМ контроллера, логикой системы самодиагностирования перебоев инвертора, а также в большей степени наличием разных аппаратных вспомогательных функций, доступных для настройки и выполнения специализированных задач и практически полностью заменяющих собой промэлектронику для обеспечения автоматической работы основного производственного оборудования без использования дополнительных внешних элементов таких как контроллеры, панели оператора, промышленные компьютеры. Описанные факторы играют решающую роль при подборе частотного преобразователя для реализации конкретных задач. Проверка сбоев и последующий грамотный ремонт на новейшем оборудовании преобразователей частоты, которые произведены фирмами Данфосс, дельта, веспер и другими мировыми брендами производится в мастерской prom electric . Производство замены IGBT transistors, которые являются самые основополагающие компоненты во всем устройстве преобразовательной техники. Отличие транзистора IGBT от IGBT module заключается в том, что модуль может содержать один или более IGBT транзисторов, иногда включенных параллельно по схеме Darlington для увеличения коммутируемой мощности, а также в некоторых случаях схему контроля тока нагрузки. IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором, представляет собой мощный полупроводниковый прибор обычно используемый как электронный переключатель для средних и высоких напряжений. Благодаря совмещению преимуществ биполярного транзистора и полевого транзистора достигается большая коммутируемая мощность и малая необходимая управляемая мощность, так как управление осуществляется не током, а полем, что приводит к высокому КПД этих компонетов.